2SAR587D3TL1, биполярные транзисторы - bjt trans digital pnp
Описание 2SAR587D3TL1
ECCN | EAR99 |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Технология | Si |
Вес изделия | 389 mg |
Конфигурация | Single |
Pd - рассеивание мощности | 10 W |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара