RN1416,LF, биполярные транзисторы - с предварительно заданным током смещения s-mini pln transist pd=200mw f=1mhz
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=1MHz
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
RN1416,LF
Описание RN1416,LF
| Серия | RN1416 |
|---|---|
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Тип | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 12 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | TO-236MOD |
| Ширина | 1.5 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |
| Типичное входное сопротивление | 4.7 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.47 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара