2SC5566-TD-E, биполярные транзисторы - bjt bip npn 4a 50v
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание 2SC5566-TD-E
| Серия | 2SC5566 |
|---|---|
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 51.500 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | PCP-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 3.5 W |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V, 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V, 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V, 6 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 360 MHz, 400 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A, 4 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 105 V, 85 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара