RF4E110BNTR, МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
Цена от:
46,24 руб.
Нет в наличии
Описание RF4E110BNTR
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | RF4E110BN |
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | DFN-2020-8 |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11.1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 24 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 11 ns |
| Время нарастания | 12 ns |
| Типичное время задержки выключения | 43 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка RF4E110BNTR , МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара