NSVMMBT2907AM3T5G, Биполярные транзисторы - BJT SS GP PNP TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT SS GP PNP TRANSISTOR
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
NSVMMBT2907AM3T5G
Описание NSVMMBT2907AM3T5G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | MMBT2907AM3 |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 1.275 mg |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | SOT-723-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 640 mW |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | PNP |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 600 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Непрерывный коллекторный ток | 600 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара