MMSS8550-L-TP, Биполярные транзисторы - BJT 625mW, 25V, 1500mA
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT 625mW, 25V, 1500mA
Артикул:
MMSS8550-L-TP
Производитель:
Описание MMSS8550-L-TP
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | MMSS8550 |
| Вес изделия | 8 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 350 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара