TSM160N10LCR RLG, моп-транзистор 100v, 46a, single n- channel power моп-транзистор
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор 100V, 46A, Single N- Channel Power МОП-транзистор
Производитель:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd
Артикул:
TSM160N10LCR RLG
Описание TSM160N10LCR RLG
| Упаковка / блок | PDFN56-8 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 83 W |
| Время спада | 21 ns |
| Время нарастания | 19 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 46 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 73 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.2 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара