NSVMMBT5401M3T5G, Биполярные транзисторы - BJT 150 V, 60 mA
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание NSVMMBT5401M3T5G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-723-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 1.275 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 130 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 150 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 160 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.15 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 60 mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара