ALD212900SAL, МОП-транзистор Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
788,15 руб.
Нет в наличии
Описание ALD212900SAL
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | ALD212900S |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 85 mg |
| Максимальная рабочая температура | + 70 C |
| Минимальная рабочая температура | 0 C |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 10 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 79 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 20 mV |
| Канальный режим | Depletion |
| Конфигурация | Dual |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка ALD212900SAL , МОП-транзистор Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 332 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 668 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 363 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 194 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
