ALD212900PAL, МОП-транзистор Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
788,15 руб.
Нет в наличии
Описание ALD212900PAL
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 0 C |
| Максимальная рабочая температура | + 70 C |
| Серия | ALD212900P |
| Упаковка / блок | PDIP-8 |
| Вес изделия | 1 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 10 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 79 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10.6 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 20 mV |
| Канальный режим | Depletion |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка ALD212900PAL , МОП-транзистор Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара