MMDT5551-TP, Биполярные транзисторы - BJT 200mA 160V

Код товара: 10359913

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MMDT5551-TP
Производитель:

Описание MMDT5551-TP

Вид монтажаSMD/SMT
Длина2.2 mm
Ширина1.35 mm
Высота1.1 mm
СерияMMDT55
Вес изделия6 mg
ECCNEAR99
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура55 C
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
Упаковка / блокSOT-363-6
Pd - рассеивание мощности200 mW
КонфигурацияDual
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.160 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)180 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.2 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка MMDT5551-TP , Биполярные транзисторы - BJT 200mA 160V в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2180
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.