MMDT5551-TP, Биполярные транзисторы - BJT 200mA 160V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT 200mA 160V
Артикул:
MMDT5551-TP
Производитель:
Описание MMDT5551-TP
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Длина | 2.2 mm |
| Ширина | 1.35 mm |
| Высота | 1.1 mm |
| Серия | MMDT55 |
| Вес изделия | 6 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара