BSC900N20NS3 G
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSC900N20NS3 G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
Нормоупаковка:
5000 шт
Цена от:
100,63 руб.
Внешние склады
-
75+ 108+ 216+ 1079+122,88 ₽ 105,97 ₽ 103,30 ₽ 100,63 ₽Срок:25 днейНаличие:5 000Минимум:Мин: 75Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание BSC900N20NS3 G
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | PG-TDSON-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 62.5 W |
| Вес изделия | 100 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 15.2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 77 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 9 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Высота | 1.27 mm |
| Длина | 5.9 mm |
| Ширина | 5.15 mm |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |
| Время спада | 3 ns |
| Время нарастания | 4 ns |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BSC900N20NS3 G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара