BFR 193 E6327, рч биполярные транзисторы npn rf transistor 12v 80ma 580mw
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
РЧ биполярные транзисторы NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
BFR 193 E6327
Описание BFR 193 E6327
| Тип | RF Bipolar Small Signal |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | BFR193 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 8 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 2.9 mm |
| Ширина | 1.3 mm |
| Высота | 1 mm |
| Упаковка / блок | SOT-23 |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Pd - рассеивание мощности | 580 mW |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Рабочая частота | 8000 MHz |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.08 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 70 at 30 mA at 8 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.08 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара