IPW65R150CFD
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPW65R150CFD
Производитель:
Описание Eng:
MOS Transistor N-Ch 700V 22.4A TO247-3
Нормоупаковка:
30 шт
Цена от:
250,74 руб.
Внешние склады
-
30+ 43+ 86+298,29 ₽ 257,22 ₽ 250,74 ₽Срок:25 днейНаличие:390Минимум:Мин: 30Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание IPW65R150CFD
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Серия | CoolMOS CFD2 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 38 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 16.13 mm |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Ширина | 5.21 mm |
| Высота | 21.1 mm |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 5.6 ns |
| Время нарастания | 7.6 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 195.3 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 22.4 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 135 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 86 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 52.8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12.4 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPW65R150CFD
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 194 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1197 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 429 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 243 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара