PJT7808_R1_00001, моп-транзистор /t08/tr/7"/hf/3k/sot-363/mos/sot/nfet-20tsmn/nf20ts-qi07/pj///
МОП-транзистор /T08/TR/7"/HF/3K/SOT-363/MOS/SOT/NFET-20TSMN/NF20TS-QI07/PJ///
Производитель:
PANJIT INTERNATIONAL INC.
Артикул:
PJT7808_R1_00001
Описание PJT7808_R1_00001
Серия | NFET-20TSMN |
---|---|
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | SOT-363-6 |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Вес изделия | 8 mg |
ECCN | EAR99 |
Технология | Si |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Id - непрерывный ток утечки | 500 mA |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 400 mOhms |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 900 mV |
Время нарастания | 20 ns |
Время спада | 23 ns |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
Qg - заряд затвора | 1.4 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Типичное время задержки выключения | 23 ns |
Типичное время задержки при включении | 2.8 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара