STWA12N120K5, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STWA12N120K5
Производитель:
Описание Eng:
MOS Transistor PTD HIGH VOLTAGE
Нормоупаковка:
30 шт
Цена от:
1 249,90 руб.
Нет в наличии
Описание STWA12N120K5
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | STWA12N120K5 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 620 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 44.2 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 18.5 ns |
| Время нарастания | 11 ns |
| Типичное время задержки выключения | 68.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 23 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STWA12N120K5
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 236 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара