LSIC1MO120E0160
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
LSIC1MO120E0160
Производитель:
Описание Eng:
1200V/160mohm SiC MOSFET TO-247-3L | Series: SIC MOSFETs;Status: Not for New Designs; VDSS (V): 1200; RDS(ON),max @ 25 °C (Ω): 0.16; VDSS (V): 1200; ID, cont @ 25 °C (A): 27
В упаковке:
450 шт
Цена от:
1 049,81 руб.
Нет в наличии
Описание LSIC1MO120E0160
| Серия | LSIC1MO |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | SiC |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 11.058 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 22 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Qg - заряд затвора | 57 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 14 ns |
| Время нарастания | 8 ns |
| Типичное время задержки выключения | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка LSIC1MO120E0160
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара