2SK3075, Транзистор полевой N-канальный 7.5Вт(0.5Вт 520МГц 9.6В)
Field-effect transistor, N-channel, 7.5W(0.5W 520MHz 9.6V)
Транзистор полевой N-канальный 7.5Вт(0.5Вт 520МГц 9.6В)
Транзистор полевой N-канальный 7.5Вт(0.5Вт 520МГц 9.6В)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
2SK3075
Документы:
Описание 2SK3075
Характеристики
Структура | n-канал |
---|---|
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 25 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | - |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
Крутизна характеристики, S | - |
Корпус | 2-5n1a |
Пороговое напряжение на затворе | 2 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара