KSC3503DSTU, Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Код товара: 10374030

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
KSC3503DSTU
Производитель:

Описание KSC3503DSTU

УпаковкаTube
СерияKSC3503
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Высота11 mm
Длина8 mm
Упаковка / блокTO-126-3
Ширина3.25 mm
Вес изделия761 mg
ECCNEAR99
Вид монтажаThrough Hole
Pd - рассеивание мощности7 W
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.300 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.6 V
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-база (VCBO)300 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)150 MHz
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.320

Способы доставки в Калининград

Доставка KSC3503DSTU , Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.