HN1C01FU-Y,LF, Биполярные транзисторы - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120 to 400 in SOT-26 (SM6) package
Код товара: 10381525
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
9,12 руб.
Нет в наличии
Описание HN1C01FU-Y,LF
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | HN1C01 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 6.800 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | US-6 |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V |
Способы доставки в Калининград
Доставка HN1C01FU-Y,LF , Биполярные транзисторы - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120 to 400 in SOT-26 (SM6) package
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара