HN1C01FU-Y,LF, биполярные транзисторы - bjt npn + npn ind. transistor, vceo=50v, ic=0.15a, hfe=120 to 400 in sot-26 (sm6) package
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120 to 400 in SOT-26 (SM6) package
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
HN1C01FU-Y,LF
Описание HN1C01FU-Y,LF
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | HN1C01 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 6.800 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | US-6 |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара