SIRA02DP-T1-GE3, моп-транзистор 30v vds 20v vgs powerpak so-8
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание SIRA02DP-T1-GE3
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | SIR |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вес изделия | 506.600 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 71.4 W |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 8 ns |
| Время нарастания | 10 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.65 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Qg - заряд затвора | 117 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 110 S |
| Типичное время задержки выключения | 42 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара