FCH041N65F-F085, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FCH041N65F-F085
Производитель:
Описание Eng:
MOS Transistor 650V N-Channel SuperFET II MOS Transistor
Нормоупаковка:
450 шт
Цена от:
1 071,23 руб.
Внешние склады
-
7+ 10+ 20+ 98+1 308,23 ₽ 1 128,11 ₽ 1 099,67 ₽ 1 071,23 ₽Срок:25 днейНаличие:450Минимум:Мин: 7Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FCH041N65F-F085
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | FCH041N65F_F085 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 20.82 mm |
| Длина | 15.87 mm |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Ширина | 4.82 mm |
| Вес изделия | 6.390 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 595 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Время спада | 8 ns |
| Время нарастания | 39 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 76 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 96 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Коммерческое обозначение | SuperFET II |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 183 ns |
| Типичное время задержки при включении | 55 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 234 nC |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FCH041N65F-F085
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 531 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2461 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1326 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 534 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 313 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара