NSS40301MDR2G

Код товара: 1038910

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
NSS40301MDR2G
Производитель:
Описание Eng:
Bipolar transistors - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
Нормоупаковка:
2500 шт

Описание NSS40301MDR2G

Упаковка / блокSOIC-Narrow-8
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Вид монтажаSMD/SMT
Длина5 mm
Ширина4 mm
Высота1.5 mm
СерияNSS40301MD
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
Вес изделия143 mg
ECCNEAR99
ТехнологияSi
Pd - рассеивание мощности783 mW
КонфигурацияDual
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Максимальный постоянный ток коллектора3 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.200 at 10 mA, 2 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка NSS40301MDR2G в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.