NSVMMBT5401WT1G, Транзистор одиночный биполярный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NSVMMBT5401WT1G
Производитель:
Описание Eng:
Bipolar transistors - BJT PNP HIGH VOLTAGE TRA
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
20,28 руб.
Нет в наличии
Описание NSVMMBT5401WT1G
| Технология | Si |
|---|---|
| Серия | MMBT5401W |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 6 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SC-70-3 |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 150 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 160 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NSVMMBT5401WT1G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара