NVMFD5C650NLT1G
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NVMFD5C650NLT1G
Производитель:
Описание Eng:
MOS Transistor T6 60V LL S08FL DS
Нормоупаковка:
1500 шт
Цена от:
334,23 руб.
Нет в наличии
Описание NVMFD5C650NLT1G
| Технология | Si |
|---|---|
| Серия | NVMFD5C650NL |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 136.090 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | DFN-8 |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 111 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.5 mOhms, 3.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 37 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Время спада | 13 ns, 13 ns |
| Время нарастания | 24 ns, 24 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 120 S, 120 S |
| Типичное время задержки выключения | 37 ns, 37 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns, 13 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NVMFD5C650NLT1G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара