NVTFS6H850NWFTAG, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NVTFS6H850NWFTAG
Производитель:
Описание Eng:
MOS Transistor TRENCH 8 80V NFET
Нормоупаковка:
1500 шт
Цена от:
43,54 руб.
Внешние склады
-
167+ 242+ 484+ 2416+53,17 ₽ 45,85 ₽ 44,70 ₽ 43,54 ₽Срок:25 днейНаличие:3 000Минимум:Мин: 167Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание NVTFS6H850NWFTAG
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | NVTFS6H850N |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 29.570 mg |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | WDFN-8 |
| Pd - рассеивание мощности | 107 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 68 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 19 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 8 ns |
| Время нарастания | 32 ns |
| Типичное время задержки выключения | 34 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 63 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NVTFS6H850NWFTAG
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара