FGH40T65SHDF-F155, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Gen3 Trench IGBT
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
400,19 руб.
Нет в наличии
Описание FGH40T65SHDF-F155
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | FGH40T65SHDF |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Вес изделия | 6.390 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - рассеивание мощности | 268 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.45 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 80 A |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FGH40T65SHDF-F155 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Gen3 Trench IGBT
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара