FGH40T65SHDF-F155, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) 650v fs gen3 trench igbt
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Gen3 Trench IGBT
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FGH40T65SHDF-F155
Описание FGH40T65SHDF-F155
Упаковка | Tube |
---|---|
Серия | FGH40T65SHDF |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес изделия | 6.390 g |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Through Hole |
Pd - рассеивание мощности | 268 W |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.45 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 80 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара