YJB70G10A, Корпус TO263, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 70 А, Rот.(мин) 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), max 8.8 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 32 нКл, Р=125 Вт, Сз=2 270пФ
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
YJB70G10A
Производитель:
Описание Eng:
100V 70A 7.2m-@10V,20A 125W 1.8V@250uA 36pF@50V N Channel 2.27nF@50V 32nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-263 MOSFETs ROHS
Нормоупаковка:
800 шт
Цена от:
36,34 руб.
Внешние склады
-
200+ 291+ 579+ 2894+44,38 ₽ 38,27 ₽ 37,31 ₽ 36,34 ₽Срок:25 днейНаличие:3 200Минимум:Мин: 200Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание YJB70G10A
Корпус TO263, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 70 А, Rот.(мин) 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), max 8.8 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 32 нКл, Р=125 Вт, Сз=2 270пФ
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка YJB70G10A , Корпус TO263, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 70 А, Rот.(мин) 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), max 8.8 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 32 нКл, Р=125 Вт, Сз=2 270пФ
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара