YJB70G10A, Корпус TO263, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 70 А, Rот.(мин) 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), max 8.8 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 32 нКл, Р=125 Вт, Сз=2 270пФ
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
YJB70G10A
Производитель:
Описание Eng:
100V 70A 7.2m-@10V,20A 125W 1.8V@250uA 36pF@50V N Channel 2.27nF@50V 32nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-263 MOSFETs ROHS
Нормоупаковка:
800 шт
Цена от:
40,84 руб.
Внешние склады
-
182+ 265+ 528+ 2632+49,87 ₽ 43,01 ₽ 41,92 ₽ 40,84 ₽Срок:25 днейНаличие:3 200Минимум:Мин: 182Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание YJB70G10A
Корпус TO263, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 70 А, Rот.(мин) 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), max 8.8 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 32 нКл, Р=125 Вт, Сз=2 270пФ
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка YJB70G10A , Корпус TO263, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 70 А, Rот.(мин) 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), max 8.8 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 32 нКл, Р=125 Вт, Сз=2 270пФ
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 549 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 3043 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 2224 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 1289 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 710 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара