SIHP15N65E-GE3, МОП-транзистор 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
Цена от:
428,34 руб.
Нет в наличии
Описание SIHP15N65E-GE3
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | E |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Длина | 10.41 mm |
| Ширина | 4.7 mm |
| Высота | 15.49 mm |
| Время нарастания | 24 ns |
| Время спада | 25 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 34 W |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 280 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 15 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 48 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 48 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SIHP15N65E-GE3 , МОП-транзистор 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 232 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара