AIGW50N65H5XKSA1, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) discretes
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
AIGW50N65H5XKSA1
Описание AIGW50N65H5XKSA1
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Серия | TRENCHSTOP 5 H5 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Pd - рассеивание мощности | 270 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.66 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара