MMS8050-H-TP, биполярные транзисторы - bjt npn silicon plastic-encapsulate transistor
Биполярные транзисторы - BJT NPN SILICON PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTOR
Производитель:
Micro Commercial Components
Артикул:
MMS8050-H-TP
Описание MMS8050-H-TP
Вид монтажа | SMD/SMT |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Pd - рассеивание мощности | 0.3 W |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 VDC |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 350 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара