MMS8050-H-TP, Биполярные транзисторы - BJT NPN SILICON PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
5,33 руб.
Нет в наличии
Описание MMS8050-H-TP
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 0.3 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 VDC |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 350 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка MMS8050-H-TP , Биполярные транзисторы - BJT NPN SILICON PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTOR
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2426 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара