MMS8050-H-TP, биполярные транзисторы - bjt npn silicon plastic-encapsulate transistor

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Биполярные транзисторы - BJT NPN SILICON PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTOR
Код товара: 10403069
Дата обновления: 23.01.2022 08:20
Доставка MMS8050-H-TP , Биполярные транзисторы - BJT NPN SILICON PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTOR в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание MMS8050-H-TP

Вид монтажаSMD/SMT
ECCNEAR99
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура55 C
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
Упаковка / блокSOT-23-3
Pd - рассеивание мощности0.3 W
КонфигурацияSingle
ТехнологияSi
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 VDC
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.6 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.350
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)150 MHz