STW18N60M2, Транзистор MOSFET одиночный
Цена от:
222,94 руб.
Внешние склады
-
33+ 47+ 94+ 467+272,26 ₽ 234,78 ₽ 228,86 ₽ 222,94 ₽Срок:25 днейНаличие:600Минимум:Мин: 33Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STW18N60M2
| Серия | STW18N60M2 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 38 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 13 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 280 mOhms |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 9 ns |
| Время спада | 10.6 ns |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Qg - заряд затвора | 21.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 47 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STW18N60M2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара