2N5550TAR, Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
218,98 руб.
Нет в наличии
Описание 2N5550TAR
| Упаковка | Ammo Pack |
|---|---|
| Серия | 2N5550 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 4.7 mm |
| Длина | 4.7 mm |
| Технология | Si |
| Ширина | 3.93 mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 240 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-92-3 Kinked Lead |
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 140 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 160 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.6 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка 2N5550TAR , Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 229 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
