2N5550TAR, биполярные транзисторы - bjt npn si transistor epitaxial
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
2N5550TAR
Описание 2N5550TAR
| Упаковка | Ammo Pack |
|---|---|
| Серия | 2N5550 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 4.7 mm |
| Длина | 4.7 mm |
| Технология | Si |
| Ширина | 3.93 mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 240 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-92-3 Kinked Lead |
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 140 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 160 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.6 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара