IXFH20N100P
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
1 229,82 руб.
Нет в наличии
Описание IXFH20N100P
| Вес изделия | 6.500 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXFH20N100 |
| Упаковка | Tube |
| Тип | Polar Power MOSFET HiPerFET |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Высота | 21.46 mm |
| Длина | 16.26 mm |
| Ширина | 5.3 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 660 W |
| Коммерческое обозначение | Polar, HiPerFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 570 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 6.5 V |
| Qg - заряд затвора | 126 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 45 ns |
| Время нарастания | 37 ns |
| Типичное время задержки выключения | 56 ns |
| Типичное время задержки при включении | 40 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFH20N100P
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 260 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара