BFP 640 H6327, рч биполярные транзисторы rf bip transistor
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTOR
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
BFP 640 H6327
Описание BFP 640 H6327
| Тип | RF Silicon Germanium |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | BFP640 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 6 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | SOT-343 |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 4 V |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Технология | SiGe |
| Полярность транзистора | NPN |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Рабочая частота | 40 GHz |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 1.2 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 110 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара