2DB1182Q-13, биполярные транзисторы - bjt 32v pnp trans -40v 10w -32v vceo -2a
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT 32V PNP Trans -40V 10W -32V VCEO -2A
Производитель:
Diodes Incorporated
Артикул:
2DB1182Q-13
Описание 2DB1182Q-13
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | 2DB11 |
| Pd - рассеивание мощности | 10 W |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 4 g |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 110 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 270 at - 500 mA, - 3 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.8 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара