HP8M51TB1, моп-транзистор 100 nch+pch power
Описание HP8M51TB1
Упаковка | Reel, Cut Tape |
---|---|
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Технология | Si |
Вид монтажа | SMD/SMT |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | HSOP-8 |
Pd - рассеивание мощности | 7 W |
Конфигурация | Dual |
Количество каналов | 2 Channel |
Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms, 290 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Qg - заряд затвора | 15 nC, 26.2 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
Время спада | 14 ns, 19 ns |
Время нарастания | 13 ns |
Типичное время задержки выключения | 50 ns, 75 ns |
Типичное время задержки при включении | 13 ns, 15 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара