HP8M51TB1, моп-транзистор 100 nch+pch power
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание HP8M51TB1
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | HSOP-8 |
| Pd - рассеивание мощности | 7 W |
| Конфигурация | Dual |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms, 290 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 15 nC, 26.2 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Время спада | 14 ns, 19 ns |
| Время нарастания | 13 ns |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns, 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns, 15 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара