TPH11003NL,LQ, моп-транзистор n-ch dtmos vii-h 21w 510pf 32a 30v
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch DTMOS VII-H 21W 510pF 32A 30V
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TPH11003NL,LQ
Описание TPH11003NL,LQ
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOP-Advance-8 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Высота | 0.95 mm |
| Длина | 5 mm |
| Серия | TPH11003NL |
| Ширина | 5 mm |
| Вес изделия | 851 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 21 W |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single Quad Drain |
| Время нарастания | 2.1 ns |
| Время спада | 1.9 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 32 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12.6 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 13.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.3 V |
| Qg - заряд затвора | 7.5 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара