PMN55ENEH, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
PMN55ENEH
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET;
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
45,69 руб.
Внешние склады
-
157+ 228+ 456+ 2277+55,79 ₽ 48,11 ₽ 46,90 ₽ 45,69 ₽Срок:25 днейНаличие:3 000Минимум:Мин: 157Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание PMN55ENEH
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TSOP-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 12.565 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 1.4 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 60 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.3 V |
| Qg - заряд затвора | 19 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 13 ns |
| Типичное время задержки выключения | 33 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 18.2 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка PMN55ENEH
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара