SSM6N44FE.LM, моп-транзистор n-ch sm sig fet 0.1a 30v 2-in-1
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
SSM6N44FE.LM
Описание SSM6N44FE.LM
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | ES6-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | SSM6N44 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 8.200 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Длина | 1.6 mm |
| Ширина | 1.2 mm |
| Высота | 0.55 mm |
| Коммерческое обозначение | MOSVI |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 Ohms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 mA |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 200 ns |
| Типичное время задержки при включении | 50 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара