TMBT3904.LM, биполярные транзисторы - bjt transistor for low freq. amplification
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TMBT3904.LM
Описание TMBT3904.LM
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | TMBT3904 |
| Вес изделия | 8 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара