2N5551 PBFREE, Биполярные транзисторы - BJT NPN Gen Pur SS

Код товара: 10415642

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
2N5551 PBFREE
Производитель:

Описание 2N5551 PBFREE

Вид монтажаThrough Hole
Упаковка / блокTO-92-3
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Серия2N55
УпаковкаBulk
Вес изделия453.600 mg
ECCNEAR99
КонфигурацияSingle
ТехнологияSi
Pd - рассеивание мощности1 W
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.160 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.2 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80 at 10 mA, 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)180 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.250 at 10 mA, 5 V

Способы доставки в Калининград

Доставка 2N5551 PBFREE , Биполярные транзисторы - BJT NPN Gen Pur SS в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 335
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2363
EMS
от 5 раб. дней
от 1574
Почта России
от 17 раб. дней
от 733
СДЭК
от 4 раб. дней
от 832
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.