HN1B01F-GR(TE85L.F, биполярные транзисторы - bjt dual trans pnp x 2 sm6, -50v, -0.15a
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
HN1B01F-GR(TE85L.F
Описание HN1B01F-GR(TE85L.F
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SM-6 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | HN1B01 |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара