SBC847CDW1T1G, биполярные транзисторы - bjt ssp xstr sc-88 npn
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT SSP XSTR SC-88 NPN
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
SBC847CDW1T1G
Описание SBC847CDW1T1G
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | BC846C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Вес изделия | 7.500 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - рассеивание мощности | 380 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Технология | Si |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 at 2 mA at 5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 800 at 2 mA at 5 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара