TPH7R506NH,L1Q, моп-транзистор u-mosviii-h 60v 55a 31nc моп-транзистор
МОП-транзистор U-MOSVIII-H 60V 55A 31nC МОП-транзистор
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TPH7R506NH,L1Q
Описание TPH7R506NH,L1Q
Вид монтажа | SMD/SMT |
---|---|
Упаковка / блок | SOP-8 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Серия | TPH7R506NH |
Вес изделия | 851 mg |
ECCN | EAR99 |
Коммерческое обозначение | U-MOSVIII-H |
Pd - рассеивание мощности | 45 W |
Высота | 0.95 mm |
Длина | 5 mm |
Ширина | 5 mm |
Технология | Si |
Полярность транзистора | N-Channel |
Количество каналов | 1 Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Id - непрерывный ток утечки | 55 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.1 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Qg - заряд затвора | 31 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Конфигурация | Single |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Время спада | 7.3 ns |
Время нарастания | 9.4 ns |
Типичное время задержки выключения | 25 ns |
Типичное время задержки при включении | 21 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара