MR20H40CDF, Магниторезистивная оперативная память (MRAM) 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
2 293,82 руб.
Нет в наличии
Описание MR20H40CDF
| Серия | MR20H40 |
|---|---|
| Упаковка | Tray |
| Вес изделия | 37.400 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | DFN-8 |
| Напряжение питания - мин. | 3 V |
| Напряжение питания - макс. | 3.6 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Ширина шины данных | 8 bit |
| Тип интерфейса | SPI |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Рабочий ток источника питания | 46.5 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 0.6 W |
| Размер памяти | 4 Mbit |
| Организация | 512 k x 8 |
| Время доступа | 20 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка MR20H40CDF , Магниторезистивная оперативная память (MRAM) 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара