MR20H40CDF, магниторезистивная оперативная память (mram) 4mb 3.3v 50mhz 512k x 8 spi

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Магниторезистивная оперативная память (MRAM) 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
Код товара: 10422077
Дата обновления: 07.10.2021 08:20
Доставка MR20H40CDF , Магниторезистивная оперативная память (MRAM) 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание MR20H40CDF

СерияMR20H40
УпаковкаTray
Вес изделия37.400 mg
ECCNEAR99
Вид монтажаSMD/SMT
Упаковка / блокDFN-8
Напряжение питания - мин.3 V
Напряжение питания - макс.3.6 V
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 85 C
Ширина шины данных8 bit
Тип интерфейсаSPI
Чувствительный к влажностиYes
Рабочий ток источника питания46.5 mA
Pd - рассеивание мощности0.6 W
Размер памяти4 Mbit
Организация512 k x 8
Время доступа20 ns