HN1C03F-B(TE85L,F), биполярные транзисторы - bjt dual trans npn x 2 20v, 0.3a, sm6
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
HN1C03F-B(TE85L,F)
Описание HN1C03F-B(TE85L,F)
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-26-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | HN1C03 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 15 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 25 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 42 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 300 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 1200 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара