SQD40030E_GE3, МОП-транзистор N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SQD40030E_GE3
| Серия | SQ |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 340 mg |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Высота | 2.38 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-252 |
| Длина | 6.73 mm |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 375 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.2 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Qg - заряд затвора | 110 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 9 ns |
| Время нарастания | 13 ns |
| Типичное время задержки выключения | 39 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 105 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара