2SAR562F3TR, Биполярные транзисторы - BJT PNP -6A Ic -30V Vceo HUML2020L3
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT PNP -6A Ic -30V Vceo HUML2020L3
Производитель:
ROHM
Артикул:
2SAR562F3TR
Описание 2SAR562F3TR
| Технология | Si |
|---|---|
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | DFN2020-3S |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 150 mV |
| Pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 7 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 6 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара